دانلود مقاله مقایسه خواص اپتیکی دو ساختار مختلف اکسید روی ساخته شده با روش کندوپاش واکنشی RF با word دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد دانلود مقاله مقایسه خواص اپتیکی دو ساختار مختلف اکسید روی ساخته شده با روش کندوپاش واکنشی RF با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله مقایسه خواص اپتیکی دو ساختار مختلف اکسید روی ساخته شده با روش کندوپاش واکنشی RF با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن دانلود مقاله مقایسه خواص اپتیکی دو ساختار مختلف اکسید روی ساخته شده با روش کندوپاش واکنشی RF با word :
مقدمه
اکسید روی یک نیمههادی با گاف نواری مستقیم و پهن اسـت که کاندیدای بسـیار مناسـبی بـرای کاربردهـای مـواد نیمـههـادی، پیزوالکتریک، نور رسانا و موجبرهای اپتیکی به شمار مـیرود -2] .[1 این ماده دارای ساختار شش وجهی ورتزیت با گاف نواری eV
3/37 و انرژی پیوندی اکسایتونی بزرگ 60 meV است. لایههـای نازک ZnO به سبب استحکام پیوندی زیـاد، کیفیـت اپتیکـی بـالا، پایداری فوقالعاده اکسایتونها و خـواص پیزوالکتریکـی عـالی در زمینههای مختلـف فنـاوری همچـون لایـه هـای رسـانای شـفاف، الکتـــرود در نمایشـــگرها و ســـلولهـــای خورشـــیدی، ادوات
پیزوالکتریک، حسگرهای گازی، دیودهای نورگسیل و لیزر دیودها نقش بسیار مهمی دارند .[3-6]
نانوساختارها و میکروساختارهای ZnO را میتـوان بـهوسـیله روشهای فیزیکی و شیمیایی نظیر رونشانی بخار شیمیایی (CVD) [7]، رونشانی لیزر پالسی [8] (PLD)، برآرایی فاز بخار فلـز-آلـی [9] (MOVPE)، برآرایی پرتو مولکولی [10] (MBE)، رونشـانی الکتروشیمیایی [11]، تبخیر حرارتـی 12]، [13 و اسـپاترینگ 14]، [15 ساخت.
خواص فیزیکی و اپتیکی لایههای نازک ZnO، میکروساختارها و نانوساختارها سنتز شده با روشهای متنوع با بررسی اثـرات دمـا، جنس زیرلایه، شرایط لایهنشـانی و دمـای بازپخـت بررسـی شـده
54
اســت .[18-16] رشــد میکروســاختارها و نانوســاختارهای ZnO
کاربردهای کلیدی در گسیل میـدان [19] حسـگری گازهـا [20] و
اپتوالکترونیک [21] دارد.
در این مقاله با استفاده از روش RF اسپاترینگ واکنشی میکرو ساختارها و نانوساختارهای ZnO را تحت شرایط آزمایشگاهی روی زیرلایه سیلیکون، با تغییر دمای عملیات حرارتی و ایجاد تمپلیت مناسب در حین رشد سنتز کردیم. سپس خواص اپتیکی محصولات را مورد بررسی و مقایسه قرار دادیم. ملاحظه کردیم کاهش ابعادی افزایش فوقالعادهای در شدت گسیل (در حدود 4/5 برابر) فوتولومینسانس در محدوه طیفی سبز و آبی نشان میدهد.
بخش تجربی
لایههای نازک میکرو و نانوساختاری با استفاده از یک دستگاه مگنترون اسپاترینگ RF با فرکانس 13/56 MHz تهیه شدند.
زیرلایههای مورد استفاده در این آزمایشها سیلیکون بلوری (100)
نوع p بودند. زیرلایهها را با روشهای متداول شستشو و تمیز کردیم. تارگت اسپاترینگ مورد استفاده در این آزمایشات یک تارگت 3 اینچی Zn با خلوص 99/99% بود. به منظور تولید پلاسما از گاز آرگون با خلوص 99/99% و از گاز اکسیژن با خلوص 99/99% به عنوان گاز واکنشی استفاده شد. فاصله تارگت تا زیرلایه حدود 85 mm بود. در نمونه A ابتدا یک لایه نازک ZnO با ضخامت 10 nm با توان 40 W و آهنگ لایه نشانی /s
0/8 ایجاد شد. فشار کاری اسپاترینگ 2 Pa و توان کاری 100 W
بود. صخامت لایه نشانده شده که با استفاده از ضخامت سنج کریستالی اندازهگیری شد، حدود 650 nm ثبت شد. در حین لایه نشانی زیرلایه به یک گرمکن الکتریکی در تماس بود طوریکه دمای زیرلایه در حدود 200 oC ثابت نگه داشته شده بود. برای نمونه B هیچ لایه نشانی اولیه انجام نشد و این نمونه به طور مستقیم در تماس با گرمکن الکتریکی نبود و دمای زیرلایه نیز در
100 oC ثابت نگه داشته شد.
به منظور بررسی مورفولوژی سطح از یک میکروسکوپ الکترونی (SEM) مدل HITACHI H-80110 استفاده شد.
ساختارهای بلوری با استفاده از پراش سنج اشعه X دستگاه
Philips X’pert PROMRD با تابش CuK در طول موج nm
=0/1542 در محدوده 20 تا 70 درجه با گام 0/0333 انجام شد.
اندازهگیری طیف فوتولومینسانس با استفاده از طیفسنج فلورسانس (FLS920) در طول موج تحریکی 250 nm با یک لامپ زنون به عنوان چشمه تحریک انجام شد.
نتایج و بحث
شکل (1) تصاویر میکروسکوپی از مورفولوژی سطح نمونههای A و B را نشان میدهد. تصویر 1(a) تصویر مورفولوژی سطح نمونه A با بزرگنمایی کم را نشان میدهد.
چنانچه از تصویر ملاحظه میکنیم چین خوردگی منظم با طرح جالب توجهی روی سطح زیرلایه سیلیکون ایجاد شده است. علت این امر میتواند اعمال دمای حدود 200 oC در حین لایه نشانی به زیرلایه باشد. تصویر 1(b) که با بزرگنمایی زیاد از سطح زیرلایه گرفته شده است، نشان میدهد سطح این الگوهای منظم میکرومتری دارای ساختارهای نانومتری هستند که از نمای بالا اندازه سطح این نانوساختارها حدود 40- 50 nm است. شکل 1(c)
تصویر از سطح نمونه B است که دمای سطح آن در حین فرایند اسپاترینگ در حدود 100 oC بوده است. چنانچه تصویر مورفولوژی سطح نشان میدهد روی سطح این نمونه پوششی از میکرو ساختارهای ZnO ایجاد شده است. در برخی از جایگاههای سطح ساختارهای میکرویی از میلههای با سطح مقطع کاملا گرد مشاهده میشود. طول نوعی این میکرومیلهها در حدود -200 m 300 است. در شکل 1 (d) یک نمونه از این میکرومیلهها با سطح مقطع گرد و با قطر حدود 3 m نشان داده شده است.
- ۹۵/۰۶/۰۲